金融界2024年12月25日消息，国家知识 *** 信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种沟槽的 *** *** ”的专利，公开号 CN 119170496 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示， 本发明提供一种沟槽的 *** *** ，该沟槽的 *** *** 包括以下步骤：提供一衬底，并于所述衬底的上表面形成依次层叠的缓冲层、硬掩模层、类掩模层、含碳层及中间抗反射层；于中间抗反射层的上表面形成图案化的遮蔽层，并基于图案化的遮蔽层形成贯穿中间抗反射层及含碳层的之一沟槽；依次去除遮蔽层及中间抗反射层，并减薄含碳层；基于剩余含碳层中的之一沟槽形成贯穿类掩模层及硬掩模层的第二沟槽，去除剩余含碳层；基于第二沟槽刻蚀缓冲层及衬底以得到位于衬底中的第三沟槽。本发明通过于硬掩模层上表面形成一层与缓冲层之间具有高刻蚀选择 *** 类掩模层，避免了在形成沟槽过程中的硬掩模层的厚度的损耗，提升了 *** 得到的沟槽的质量。
来源：金融界
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